主营:半导体器件,半导体器件
所在地:
陕西 西安
产品价格:
电议
最小起订:
1
发布时间:
2024-11-26
有效期至:
2024-12-26
系统概述:
本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备 符合国家JB/T 7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。
系统单元:
电流上升率 |
di/dt |
关断时间 |
Turn off time |
恢复电荷 |
Recovery charge |
示波器 |
Oscilloscope |
计算机单元 |
Computer unit |
反向恢复电流 |
Reverse recovery current |
反向恢复时间 |
Reverse recovery time |
接口切换单元 |
Interface switching unit |
自动恒温压力夹具 |
Automatic thermostatic pressure clamp |
断态电压临界上升率测试单元 |
Off-state voltage critical rise rate test unit |
参数指标:
断态电压临界上升率 测试单元 |
断态电压测试范围:500-4000V、分辨率、1V精度±5%; 电压过冲范围:500-4000V: 10%;(800V以下时按dv/dt=500V/μS验收) 电压上升率:200V/μS、500 V/μS、1000V/μS、1500 V/μS、 2000V/μS共5档,精度±10% 按模拟负载为 2.2nF电容器校准;准线性电压上升率/ 测试频率:单次 |
关断时间测试单元 |
通态电流测试范围:200A-3000A 分辨率:1A 精度±5%; 工作频率: 0.2-0.5Hz; 关断时间测试范围:5-1500µs; 通态电流脉冲底宽: ≥4ms; 反向电压:50-200V连续可调,分辨率 1V; 精度±5%; 再加电压范围:500V-4000V,分辨率 1V; 精度±5%; 再加电压上升率e:分为 30V/µs、100V/µs、300V/µs三档,精度±10%; 电流下降率:分为 10A/µs、20A/µs两档,精度±20%; |
恢复电荷、反向恢复电流、 反向恢复时间测试单元 |
通态电流测试范围:200A-3000A 分辨率:1A 精度±5%; 工作频率:0.2-0.5Hz; 通态电流脉冲底宽: ≥4ms; 反向电压:50-200V连续可调,分辨率 1V; 精度±5%; 恢复电荷测试范围:500-20000µs;精度±50µs±5%; 电流下降率:分为 10A/µs、20A/µs两档,精度±20%; 可测试反向恢复时间trr、反向恢复电流IR; |
自动恒温压力夹具 |
工作方式:气动; 压力范围:10-200kN; 分辨率 0.1kN; 精度±5%±1kN; 温度控制精度范围:70-150℃,分辨率 0.1℃,精度±1.5℃; 夹头耐压: 夹头对机壳耐压: 峰值10k0V,1 分钟; 加热体对夹头耐压:峰值10kV,1 分钟; 夹头行程: ≥80mm; 台面直径: 大于Ф130mm; 夹头最大工作电流: 10kA(峰值、底宽 10mS、工作频率≤5Hz ); 夹头表面平面度≤20µs; 导柱间跨距:≮260mm; |