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功率半导体标准动态特性测试仪

产品信息

产品详细

功率半导体标准动态特性测试仪

主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。

本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。

本技术规范并未对一切技术细节做出规定,所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。

1.         引用标准

GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法

以及国标、IEC、IEEE相关标准,以上标准均执行最新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾,则应满足较高标准。

功率半导体标准动态特性测试仪

 

 

2.         技术要求

序号

项目

参数

备注

1

常规开通

通态电流

范围:200-10000A,连续可调;

 

主电容电压

范围:300-7000V,连续可调;

 

较好导通电流宽度设定范围

10μs-5ms

 

上升时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs

 

开通反馈延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs

 

开通延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs

 

开通能量测量范围

0.01-200J±3%±0.1J

 

开通di/dt测量范围

10-5000A/μs±3%±10A/μs

 

2

常规关断

较好关断电流

范围:200-10000A,连续可调;

 

关断反馈延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs

 

关断延迟时间测量范围

0.01-40μs±3%±0.05μs

 

关断能量测量范围

0.01-1000J±3%±0.1J

 

断态电压上升率测量范围

10-5000V/μs±3%±10V/μs

 

断态电流下降率测量范围

10-10000A/μs±3%±10A/μs

 

*主回路寄生电感

≤300nH

 

3

极限关断

较好关断电流

范围:<20000A;

设备能力

4

数据采集和处理单元

示波器

带宽不低于500MHz,采样率不低于6.5Gs/s

 

试品控制方式

光纤控制

 

2.1.         自动恒温压力夹具

序号

项目

参数

备注

1

工作方式

自动,气动

 

2

压力范围

10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。

 

3

温度控制范围

70~180℃,分辨率0.1℃;

 

高压阳极控温器采用非接触式测温

功率半导体标准动态特性测试仪

 

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