本半导体晶片抛光剂适应半导体材料如硅片，锗单晶片，砷化镓晶片的表面抛光工艺，具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。抛光后晶片表面的粗糙度可以达到0.2nm以下，同时可以提高晶片的粗糙度和平行度，抛光后表面不产生划伤，抛光雾。
1、特点
①高磨料均匀性、高稳定性，纳米二氧化硅颗粒粒径均匀，长时间放置不变色不分层
②去除速率高：硅片的单位去除速率可以达到0.8-1.5um/min，提高抛光效率
③使用方便：本抛光液适用于通用的抛光工艺
④抛光效果好：粗糙度可以达到0.2nm以下，抛光表面无划伤和抛光雾
2、使用范围及参数
本系列产品适用于直拉、区熔单晶硅，直径φ76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面及双面抛光；以及其它半导体材料如锗片，砷化镓片等抛光工艺（使用np9200添加抛光助剂）；同时还适用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺。
型号    sio2含量ph    平均粒径/nm    稀释倍数    备注
np9100    30%    11.5-12.5    40-60    15～25    硅片粗抛、背面减薄
np9200    30%    11.5-12.5    60-90    15～25    大粒径，锗、砷化镓
np9000    15%    9.5-10.5    30-50    10-15    硅片二次抛光
3、工艺参数
①技术参数：抛光压力150～250g/cm2
②抛光温度：30～45℃
③抛光时间：15～30min抛光时间可根据去除厚度来进行调整。