KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理国外进口进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 1高等
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 农业生产体系前体

KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 较大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 非常高真空系统; 安装方便
• **的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

• 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
  
  KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
  •  离子辅助镀膜 IAD
  •  预清洗 Load lock preclean
  •  预清洗 In-situ preclean
  •  Direct Deposition
  •  Surface Modification
  •  Low-energy etching
  •  III-V Semiconductors
  •  Polymer Substrates
  
  1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项****. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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