KRI 考夫曼离子源 KDC 40【图】报价_批发商厂家_品牌_联系方式-伯东企业（上海）有限公司

产品信息

所在地:

上海上海
产品价格:

电议
最小起订:

1
发布时间:

2023-12-13
有效期至:

2024-06-13

产品详细

因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。

KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理国外进口进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号	KDC 40
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	1
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
-栅极直径	4 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架构	移动或快速法兰
- 高度	6.75
- 直径	3.5
- 离子束	集中平行散设
-加工材料	金属电介质半导体
-工艺气体	惰性活性混合
-安装距离	6-18”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   宝岛伯东: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108 T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1322 F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 ( 微信同号 )      M: 886-939-653-958
qq: 2821409400
www.hakuto-china.cn                       www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东企业（上海）有限公司

KRI 考夫曼离子源 KDC 40

产品信息

产品详细

联系方式

伯东企业（上海）有限公司

相关产品