工业高纯铝主要做电解电容器用的阳较箔、电容器引线、集成电路导线、真空蒸发材料、超导体的稳定导体、磁盘合金和高断裂韧性铝合金的基体金属，以及在科研、化工等方面的特殊用途非常高纯铝具有许多优良性能，用途广泛。它具有比原铝更好的导电性、延展性、反射性和抗腐蚀性，在电子工业及航空航天等领域有着广泛的用途。5N5-6N的非常高纯铝（每种杂质的较大含量0.4ppm）96%用于半导体器件制造行业，4%用作超导电缆的稳定化材料在制造集成电路芯片时阴较溅射是一道必不可少的工艺，这是一种特殊的高技术工艺，蒸发的呈等离子状态的铝沉积于阴较靶面，即在硅片上形成一层薄薄的均匀的较少缺陷的铝膜，随后在膜上涂一层感光性树脂，经曝光后除去无用的部位即未感光的树脂，也就是把这些处的树脂腐蚀掉，而保留的较窄的铝条便是所需的导电体。阴较溅镀用的铝越纯，其电导率也就越高非常高纯铝的另一重要用途是作为集成电路的配线。非常高纯铝中的痕量杂质铀与钍是越少越好，因为它们是放射性元素，在时时释放α粒子，从而造成集成电路出现故障，使程序失误与混乱。TADE生产的5N2高纯铝中U Th<5ppb（wt%）,5N5非常高纯铝中U Th<1ppb（wt%）。 5N及5N5的大尺寸板状靶材，大规模应用于PDP及TFT-LCD平板显示器，太阳能电池镀膜用溅射靶材。板靶原材料中Fe、Si、Cu、V、Ti等杂质完全符合相应标准。在超导领域，非常高纯铝用作超导电缆的稳定化材料。在电子领域5N超纯铝用于制造光电子存储媒体，如CD、CD-ROM、CD-RW、数据盘或微型盘、DVD银盘等，在银盘中用5N超纯铝溅射膜作为光反射层。超纯铝中的杂质含量较少。杂质含量较少使得超纯铝具有一些特殊的性能优点典型的性能特点 1．不纯物元素含量较低。杂质元素含量越低，金属间化合物密度越小 2．导电性能良。3RRR值高，在较低温区的电阻非常小。 3．光反射性能非常强，对紫外线有很高的反射率！