硅碳棒的成分是碳化硅（SiC),主要成分为SiC94.4%，SiO,3.6%,其余为少量的铝、铁、氣化钙等。熔点2227°C,使用温度为 1400±50C。
　　碳化硅有无定形和晶体两种，对化学试剂是稳定的。它不溶于一般熟知的酸溶液屮和它们的混合酸中。沸腾的盐酸、氢氟酸、硫酸不会分解碳化硅。各种酸蒸气对硅碳棒不起化学作用。
　　氯在600°C时分解SiC的表面层，在900-1000。C时则进行下列反应：
　　SiC+2Cl2=SiCl4+C
　　在1100-1200C时形成四氯化硅和四氮化碳：
　　SiC+4Cl2=SiCl4+CCl4
　　SiC和水蒸汽在1300-1400C作用，但要到1775-1800。0才强列的作用：
　　SiC+2H20=Si02+CH4
　　因此必须隔绝水蒸汽的浸入。
　　SiC在氧中，在1000。0以下不被氧化，在1350。0时显著地氣化。在1350?1500。0之间形成Si02,而Si02在1700。0左右熔化。所生成的3102在熔化时覆盖在SiC的上面,阻碍SiC再继续氧化。
　　在1750.C时，SiC按下列反应强烈地进行氣化：
　　在1750‘C时，SiC按下列反应强烈地进行氧化,SiC + l+02=Si0+C0
　　SiC+202=Si02+C02
SiC在1100-C, 1小时可氧化0.47%,而在1250C时为
1.82%。
硫磺蒸气仅在髙丁HOOT时和SiC作用。
2000。(?以上，在Si02作用下，SiC分解并析出硅：
SiC+Si02=2Si-C0