<p><span　FONT-SIZE：　medium“><strong>规格</strong>：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm符合国标GB／T14592-93　<br　/><strong>参数</strong>：比重：10.2g／cm³电阻率：不大于6.26×10-6Ω.cm　<br　/><strong>热膨胀系数</strong>：4.0×10-6μm／（m.k）-6.4×10-6μm／（m.k）（在373.15k-973.15k）</span></p>
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<p><strong>用途</strong>：适用于电力半导体器件及电真空器件。用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。　<br　/><strong>特点</strong>：钼圆片表面光亮，粗糙度可达Ra1.60，热导电性能好，热膨胀系数小，且耐高温，抗压强度优于现行同类产品</p>
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<p　TEXT-ALIGN：　center“><span　FONT-SIZE：　medium“><br　/><strong>如果您有特殊要求，可协商解决，欢迎您来电咨询！<br　/></strong></span></p>
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