主营：扩散/氧化炉+太阳能设备+LPCVD+LED合金炉+真空/氮气炉+链式/隧道炉+压力烧结炉+真空热处理炉
所在地:
山东 青岛
产品价格:
电议
最小起订:
0
发布时间:
2010-08-15
有效期至:
2010-08-30
产品介绍
pecvd满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积si o2、si 3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
pecvd系统性能特点：
结构形式：1—4管卧式热壁型
硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
温度范围：300～1100℃
恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
淀积薄膜均匀性： 片内±5％ 片间±5％ 批间±5％
沉积膜厚度：600～1 5000a
系统较限真空度：优于1pa
工作压力范围：20～133pa闭环控制
控制方式：工业微机
送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
淀积薄膜分类：si 3n4、si02、psg、pply-si膜
真空泵：罗茨泵、机械泵
工艺气路：5路气／管。vcr接口
40kfiz脉宽调制ae高频电源
装片量：200片／舟
联系人:
宋维玲 （联系时请告诉我是"铝道网看到的 信息，会有优惠哦！谢谢！）
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708877677@qq.com
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