等离子体增强化学气相沉积法。

设备介绍： 本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要组成系统及特点：

本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。

主要特点：

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

    2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

    4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

    5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。