一、 设备基本原理及主要用途

• 1. 设备用途

• 适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的准确退火与微晶化、晶体的准确退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理，应用于电子元器件、新型材料及粉体材料的真空气氛处理，材料在惰性气氛环境下进行烧结。本设备具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高，处于国内优异水平。根据不同的使用气氛及使用温度，使用不同的加热元件，型号齐全，对需在惰性气体环境下烧结的材料，本设备是一个非常好的选择，同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。

• 二、 主要技术参数

• 1. 加热功率：   2KW

•        加热形式：   1900型优质硅钼棒MoSi2

•                        左右两面加热，温场均匀，能耗低

•  升温速率建议:10℃/Min Max:20℃/Min

• 1. 炉膛尺寸：    150mm*150mm*150mm（长方体）

• 2. 外形尺寸：     1800mm*1300mm*1600mm(高/宽/长）

• 3. 保温材料：    1800型高纯氧化铝微晶体纤维，保温性能好

• 4. 装料方式：    前侧装料

• 5. 气氛种类：    惰性气体（氮气，氩气）

• 6. 常规中空度：  6.7x10^(-2) Pa

• 7. 较限真空度：  6.7x10^(-3) Pa

• 8. 较限充气压力：≤0.05Mpa

• 9. 长期使用压力：≤0.04Mpa（微正压、表压）

• 10. 控制精度：    ?1 ℃

• 11. 热电偶型号：B型

• 12. 温控控制：    30段程序控温系统，PID控制

• 13. 内外层炉壳：  SECC钢板防锈处理，并经粉体烤漆处理

• 14. 设备表面温度：≤60℃

• 15. 数据导出系统：可通过USB将升降温工艺导出，曲线图显示

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